RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1911
2339
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link