RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
54
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
21
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3255
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link