RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2847
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link