RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
54
Wokół strony -80% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
1758
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link