RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2271
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link