RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2865
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link