RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
54
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2852
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link