RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
54
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
35
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3141
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M391B5273DH0-YK0 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link