RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
63
Wokół strony -163% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
24
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2484
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link