RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
63
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
42
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2750
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link