RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
1617
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.02G72.9K2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link