RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2902
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link