RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
63
Wokół strony -125% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2892
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link