RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
63
Wokół strony -85% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
8.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
34
Prędkość odczytu, GB/s
8.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1945
2800
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link