RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB vs G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
50
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
8.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
28
Prędkość odczytu, GB/s
8.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1954
2931
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8WMB 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link