RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3066
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link