RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
49
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
2807
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link