RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
49
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
34
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
3284
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link