RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
54
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1904
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link