RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
85
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
10
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
85
Prędkość odczytu, GB/s
10.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2116
1772
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link