RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3042
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link