RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2706
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link