RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2934
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link