RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
2846
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link