RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3659
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link