RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2164
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link