RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3373
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link