RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3364
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link