RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3090
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link