RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
42
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
21
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2276
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link