RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
42
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2973
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Inmos + 256MB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564U64CP8-Y5 512MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link