RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
86
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
86
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
1469
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link