RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
42
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
4046
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link