RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2466
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link