RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
104
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1909
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link