RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3135
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link