RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3024
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix Kingston 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link