RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3085
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link