RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
104
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2972
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link