RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2266
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link