RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2414
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link