RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2532
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link