RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
104
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2366
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link