RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
75
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3711
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link