RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.9
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
3736
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link