RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
2714
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link