RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
78
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
78
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1526
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link