RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3809
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link