RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
74
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2808
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link