RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
74
Wokół strony -118% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2659
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link